GaAs TAGLIKLARDA SUYUQ FAZADAN EPITAKSIYA USULI BILAN O‘STIRILGAN (GaAs)1-x-y(Ge₂)x(ZnSe)y QATTIQ QORISHMALI YUPQA QATLAMLARNING STRUKTURAVIY VA FAZAVIY XUSUSIYATLARINI TADQIQ ETISH
Annotatsiya
Ushbu ishda GaAs tagliklarda suyuq fazadan epitaksiya usuli yordamida o‘stirilgan (GaAs)1-x-y(Ge₂)x(ZnSe)y qattiq qorishmali yupqa pardalarning strukturaviy va fazaviy xususiyatlari tadqiq etildi. Namunalar rentgen difraksiyasi (XRD) usullari yordamida o‘rganildi. Olingan natijalar epitaksial qatlamlarning yuqori darajada mukammal kristall panjaraga ega ekanligini va (100) kristallografik yo‘nalishda o‘sgan monokristall tuzilmani hosil qilishini ko‘rsatdi. Tahlillar natijasida germaniy atomlarining bir qismi GaAs kristall panjarasida o‘rin almashgani, qolgan qismi esa nanokristallar shaklida ajralib chiqqani aniqlandi. Shuningdek, ZnSe komponentining epitaksial qatlam sirtida nanotuzilmalar hosil qilishi kuzatildi. Difraksion akslanishlar intensivligining o‘zgarishi va noelastik fonning siljishi epitaksial qatlamda elastik kuchlanishlar va mikrostrukturaviy nuqsonlar mavjudligini ko‘rsatdi. Olingan natijalar GaAs asosidagi ko‘p komponentli qattiq qorishmalarda nanokristall tuzilmalar shakllanish mexanizmlarini tushunishga hamda ularning fizik xossalarini boshqarish imkoniyatlarini kengaytirishga xizmat qiladi.
Kalit so'zlar
Foydalanilgan adabiyotlar
1. Бобоев А.Й. Структурные особенности, электрофизические и фотоэлектрические свойства гетероструктур n-(GaAs)-р-(GaAs)1-х-у(Ge2)х(ZnSe)у. Дис… PhD по.физ.-мат. наук. -Ташкент: ИФПМ, 2019. -С.127.
2. Sirojiddin Zainabidinov and Akramjon Boboev. n-GaAs – p-(GaAs)1–x–у(Ge2)x(ZnSe)y Heterostructures. (Synthesis, Structure and Electro-Physical Properties). GlobeEdit. - 2021. -P. 73-79.
3. Zainabidinov S.Z., Mansurov H.J., Boboev A.Y. and Makhmudov Kh.A. Structural featureas the solid solution (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y with quantum dots (0≤x≤0.17);( 0≤y≤0.14) // Semiconductor physics and microelectronics. 2019.-No.1(0.1).-P, 11-14.
4. Zainabidinov S. Z., Kalanov M.U., Boboev A.Y., Kutlimurotov B.R. Peculiarities of photosensitivity of n(GaAs)–p(GaAs)1–x–y(ZnSe)x(Ge2)y structures with quantum dots. // Applied Solar Energy.-2015. - Vol. 51(3). - Р.206-208.
5. Зайнабидинов С.З., Бобоев А.Й. Морфологические исследования особенностей наноостровков ZnSe на поверхности твердого раствора (GaAs)1-x(Ge2)х. // Даклады Академии Наук. - 2018 - №
4. - C. 56-59.
6. Zaynabidinov S.Z., Boboev A.Y., Soliyev I.M. GaAs1–δBiδ kvant o‘rali (ZnSe)1–x(Ge2)x qattiq qorishmlarning tuzilmaviy xossalariga gamma nurlanishlar ta’siri // Scientific Bulletin. Physical and Mathematical Research. 2025. Vol. 7 Iss. 3,– P. 67-72.
7. Зайнабидинов С.З., СаидовА.С., Бобоев А.Й., Усмонов Ж.Н. Особенности свойств поверхности полупроводникового твердого раствора(GaAs)1–x–у(Ge2)x(ZnSe)y с квантовыми точками ZnSe. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2021. №
1. С. 107.
Iqtibos keltirish uchun
Soliyev Iqboljon Maxammadjonovich, Boboyev Akramjon Yo'ldashboyevich. (2026). GaAs TAGLIKLARDA SUYUQ FAZADAN EPITAKSIYA USULI BILAN O‘STIRILGAN (GaAs)1-x-y(Ge₂)x(ZnSe)y QATTIQ QORISHMALI YUPQA QATLAMLARNING STRUKTURAVIY VA FAZAVIY XUSUSIYATLARINI TADQIQ ETISH. ADPI Ilmiy xabarnomasi. URL: https://eduservis.uz/article/185293001